據(jù)有關(guān)寬帶隙半導(dǎo)體市場新的研究報(bào)告顯示，全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場預(yù)計(jì)在2027年將達(dá)到US $ 3億的價(jià)值，在?22％的復(fù)合年增長率擴(kuò)張，從2019到 2027年。根據(jù)報(bào)告認(rèn)為，在預(yù)測期內(nèi)，全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場將繼續(xù)受到一系列宏觀經(jīng)濟(jì)和特定市場因素的影響。

與市場上其他可用的半導(dǎo)體材料相比，寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體的使用使功率半導(dǎo)體器件更小，更快，更可靠，更高效。寬帶隙半導(dǎo)體材料提供的重量輕，使用壽命長和能帶隙更大的優(yōu)點(diǎn)使它們在全球范圍內(nèi)的不同類型的功率半導(dǎo)體器件中得到優(yōu)先使用。

廣泛的商業(yè)可用性，WBG半導(dǎo)體功率器件的價(jià)格下降以及對用于電信設(shè)備，計(jì)算機(jī)，軍用器件，電動(dòng)汽車和光伏發(fā)電等應(yīng)用的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求不斷增長逆變器有望在不久的將來帶動(dòng)全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場。

預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)，寬帶隙半導(dǎo)體材料投資的增加及其在功率半導(dǎo)體行業(yè)中的采用將推動(dòng)全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場的增長。

能源和公用事業(yè)最終利用行業(yè)占主導(dǎo)地位

該報(bào)告詳細(xì)介紹了全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場的細(xì)分情況：就材料（碳化硅[SiC]，氮化鎵[GaN]，金剛石等），應(yīng)用（混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車，光伏逆變器，鐵路牽引，風(fēng)力渦輪機(jī)，電源，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，UPS等）和最終用途行業(yè)（汽車，航空航天與國防，IT與消費(fèi)者，能源與公用事業(yè)等）。全球市場也已根據(jù)地區(qū)（北美，歐洲，亞太地區(qū)，南美以及中東和非洲）進(jìn)行了細(xì)分。

在這些材料中，碳化硅（SiC）細(xì)分市場在2018年占全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場的領(lǐng)先份額。預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)，該細(xì)分市場將保持其在全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場的主導(dǎo)地位。

混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車的應(yīng)用領(lǐng)域預(yù)計(jì)將引領(lǐng)全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場，并在預(yù)測期內(nèi)以高CAGR的速度擴(kuò)展。

能源與公用事業(yè)是全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場中極具吸引力的最終用途行業(yè)。就市場規(guī)模而言，它是最大的細(xì)分市場。預(yù)計(jì)該部門將在預(yù)測期內(nèi)以快速的速度增長。此外，預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)，不同功率半導(dǎo)體制造商對寬帶隙半導(dǎo)體材料的采購將增加，從而帶動(dòng)全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場。

亞太地區(qū)是利潤豐厚的寬帶隙半導(dǎo)體市場

由于該地區(qū)較早采用寬帶隙半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)，亞太地區(qū)將占據(jù)全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場的最大份額。亞太地區(qū)和北美占有相當(dāng)大的市場份額。預(yù)計(jì)在預(yù)測期內(nèi)，這些地區(qū)將為寬帶隙半導(dǎo)體市場提供豐厚的機(jī)會(huì)。

中國在2018年主導(dǎo)了亞太地區(qū)的寬帶隙半導(dǎo)體市場。預(yù)計(jì)該國的寬帶隙半導(dǎo)體市場將在2019年至2027年期間以顯著的復(fù)合年增長率增長。亞太地區(qū)的不同政府組織正在增加其研發(fā)支出適用于先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。反過來，這有望促進(jìn)該地區(qū)的寬帶隙半導(dǎo)體市場。此外，對電動(dòng)汽車的需求上升以及對5G支持設(shè)備的高度關(guān)注是在預(yù)測期內(nèi)可能推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體市場的一些主要驅(qū)動(dòng)因素。

投資新產(chǎn)品以推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體市場

該報(bào)告提供了在全球?qū)拵栋雽?dǎo)體市場中運(yùn)作的領(lǐng)先企業(yè)的概況。它們是Cree，Inc.，GeneSiC Semiconductor Inc.，Infineon Technologies AG，Panasonic Corporation，ST Microelectronics NV，ON Semiconductor，ROHM Semiconductor，OSRAM Opto Semiconductors GmbH，TT Electronics，Qorvo，Inc .和Broadcom Inc .。

ROHM Semiconductor是寬帶隙半導(dǎo)體（SiC和GaN）材料的領(lǐng)先制造商。該公司于2019年2月開始大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率元件，例如SiC肖特基二極管和SiC平面MOSFET。該公司宣布計(jì)劃在先進(jìn)機(jī)器的幫助下升級(jí)其現(xiàn)有的WBG半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，預(yù)計(jì)將在年底完成2020年。

2019年8月，安森美半導(dǎo)體在其產(chǎn)品線中推出了寬帶隙（WBG）硅碳（SiC）MOSFET。該公司預(yù)計(jì)，由于WBG半導(dǎo)體器件在汽車電氣系統(tǒng)和電動(dòng)汽車等應(yīng)用中的使用量增加，因此新產(chǎn)品在不久的將來會(huì)出現(xiàn)很高的需求。